[10p-S5-1~14] 3.12 Semiconductor optical devices

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[10p-S5-2] 200-GHz-class InGaAs/InP Photodetector with Broadband Absorption Enhancement.

〇Yuki Yamada¹, Yusuke Araki¹, Takuya Hoshi¹, Fumito Nakajima¹ (1.NTT Inc.,)

Keywords:

semiconductor,photodiode,detector

高速フォトダイオード(PD)は大容量光通信に必要な技術であり、受光感度は伝送距離長延化等の観点で重要である。波長多重方式への適応や製造トレランス拡大のためには、広い波長域で高感度が得られることが望ましい。本研究では、光干渉を用いたPDを提案し、広波長域での感度増強によってO帯での高速高感度動作を実現した。