講演情報
[10p-S5-2]広波長域の吸収増強を用いた200 GHz級InGaAs/InPフォトダイオード
〇山田 友輝1、荒木 友輔1、星 拓也1、中島 史人1 (1.NTT 先デ研)
キーワード：
半導体、PD、受光器
高速フォトダイオード(PD)は大容量光通信に必要な技術であり、受光感度は伝送距離長延化等の観点で重要である。波長多重方式への適応や製造トレランス拡大のためには、広い波長域で高感度が得られることが望ましい。本研究では、光干渉を用いたPDを提案し、広波長域での感度増強によってO帯での高速高感度動作を実現した。