[11a-E201-1~8] 13.3 Insulator technology

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[11a-E201-1] Low temperature PMA effect on SiO₂/GeO₂/Ge gate stack

〇Hajime Kuwazuru¹, Dong Wang², Keisuke Yamamoto^2,3 (1.IGSES, Kyushu Univ., 2.FES, Kyushu Univ., 3.REISI, Kumamoto Univ.)

Keywords:

Germanium,Gate insulator,MOS capacitor

Geは高性能薄膜トランジスタやGeSn赤外線受発光素子、Geスピントロニクス素子への応用が期待されている。これらのデバイスを実現する上で、絶縁膜、特にゲートスタックの低温形成技術が求められる。これまでに当研究室では、SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックの低温形成とPDA処理による電気特性の改善および界面ダイポール（δ_dipole）の変調を報告してきた。今回は、SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックにおける電気特性のさらなる性能改善とフラットバンド電圧（V_FB）制御を目的とし、低温でのPost Metallization Annealing(PMA)効果を調査した。