Presentation Information
[11a-E207-6]HAXPES Analysis of Ion-irradiated Diamond
〇Haruna Kakiuchi1, Koichi Ozaki2, Katsumi Takahiro1 (1.Kyoto Inst. Tech., 2.Shiga-IRC)
Keywords:
HAXPES,amorphous carbon,ion beam
Arイオン照射により表面をアモルファス化し、導電性を得たダイヤモンド試料について、HAXPESでC 1sスペクトルを計測した。通常のXPSより深い範囲の情報を含むため、表面のアモルファス層(主にsp2-C)、照射損傷を受けたダイヤモンド層(sp3-C’)に加え、照射損傷を受けていないダイヤモンド層(sp3-C)の3成分に分離することができた。更に、中和銃使用の有無でのスペクトル変化から、各成分への帯電の影響を確認した。