[11a-E207-1~7] CS.1 2.3 加速器技術・加速器質量分析・ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェアセッション

11:15 〜 11:30

[11a-E207-6] イオン照射されたダイヤモンドの硬Ｘ線光電子分光

〇垣内 晴名¹、尾﨑 孝一²、高廣 克己¹ (1.京工繊大、2.滋賀県南部産業技術共創センター)

キーワード：

HAXPES、アモルファスカーボン、イオンビーム

Arイオン照射により表面をアモルファス化し、導電性を得たダイヤモンド試料について、HAXPESでC 1sスペクトルを計測した。通常のXPSより深い範囲の情報を含むため、表面のアモルファス層(主にsp²-C)、照射損傷を受けたダイヤモンド層(sp³-C’)に加え、照射損傷を受けていないダイヤモンド層(sp³-C)の3成分に分離することができた。更に、中和銃使用の有無でのスペクトル変化から、各成分への帯電の影響を確認した。