[11a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-N101-5] Implementation and Electrical Characterization of Monolithic µLED Arrays with a Uniform Electrode-Height Structure

〇Takumi Tsukamoto¹, Koko Fukushima¹, Keisuke Takeya¹, Kazuya Takagi¹, Ren Takahashi¹, Yoshinobu Suehiro¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

LED,implementation,monolithic micro LED arrays

積層型モノリシックµLEDと駆動回路を接合し、実装前後の電気特性から抵抗成分を評価した。接合後にYGB3画素の同時発光を確認し、電極高さ同一構造を用いた実装プロセスの成立を実証した。一方で、実装後には微分抵抗が約300〜400Ω増加した。駆動回路の配線抵抗は設計値より高い80〜102Ωであったが、微分抵抗の増加量よりは小さく、接合部に起因する抵抗成分が新たな課題となる可能性が示された。