Presentation Information
[11a-N304-6]Prediction Model for Doping in TMDC via Correlation Between Quantum Chemical Calculations and Experimental Characterization
〇(M2)Takuya Suzuki1, Ji Huang1, Daisuke Yokogawa1, Kazuma Tabei1, Tomohiro Iwai1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
Keywords:
Transition metal dichalcogenides,DFT,Doping
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）のドーピング手法として、分子/TMDCヘテロ接合界面における表面電荷移動を利用した手法が注目されているが、分子構造と電気特性の関係は未解明であり、設計指針が確立されていない。本発表では、キノリン誘導体（QD）を用いた実験およびDFT計算により、分子のイオン化エネルギーとしきい値電圧シフトの相関関係を見つけた。さらに、この知見をもとに合成したより強い電子供与性を持つQDのドーピング特性評価、およびナフタレン誘導体によるp型ドーピング実験についても報告する。