講演情報
[11a-N304-6]分子化学計算と実験的手法の相関検討によるTMDCへのドーピング量予測モデル構築
〇(M2)鈴木 啄也1、Ji Huang1、横川 大輔1、田部井 一磨1、岩井 智弘1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、DFT、ドーピング
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）のドーピング手法として、分子/TMDCヘテロ接合界面における表面電荷移動を利用した手法が注目されているが、分子構造と電気特性の関係は未解明であり、設計指針が確立されていない。本発表では、キノリン誘導体（QD）を用いた実験およびDFT計算により、分子のイオン化エネルギーとしきい値電圧シフトの相関関係を見つけた。さらに、この知見をもとに合成したより強い電子供与性を持つQDのドーピング特性評価、およびナフタレン誘導体によるp型ドーピング実験についても報告する。