Presentation Information
[11a-PB3-2]Influence of Si and Ge on the energetic stability of polarity inversion boundaries in AlN
〇Kenji Hirata1, Kodai Niitsu2, Sri Ayu Anggraini1, Masato Uehara1, Morito Akiyama1 (1.AIST, 2.NIMS)
Keywords:
nitride,first-principles
ウルツ鉱型結晶構造を有するⅢ族窒化物のc軸配向膜では、極性が物理特性および電子デバイス性能に影響するため、その制御はデバイス設計において重要な検討事項となる。本研究では、AlNの極性反転におけるSiおよびGeの役割を明らかにするために、第一原理計算により極性反転境界のエネルギー的安定性に対する影響を評価した。