講演情報
[11a-PB3-2]AlNの極性反転境界のエネルギー的安定性に与えるSiとGeの影響
〇平田 研二1、新津 甲大2、Anggraini Sri Ayu1、上原 雅人1、秋山 守人1 (1.産総研、2.物材機構)
キーワード：
窒化物、第一原理計算
ウルツ鉱型結晶構造を有するⅢ族窒化物のc軸配向膜では、極性が物理特性および電子デバイス性能に影響するため、その制御はデバイス設計において重要な検討事項となる。本研究では、AlNの極性反転におけるSiおよびGeの役割を明らかにするために、第一原理計算により極性反転境界のエネルギー的安定性に対する影響を評価した。