[11p-B32-1~7] Advances in Lattice-Mismatched Epitaxy: vdWE 4Xth Anniversary Symposium

2:45 PM - 3:15 PM JST(5:45 AM - 6:15 AM UTC)

[11p-B32-4] Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS₂

〇Yoshiki Sakuma¹ (1.NIMS)

Keywords:

MoS2,van der Waals epitaxy,MOCVD

本講演ではc面サファイア上MoS2のvdWエピタキシーにおける「自発的面内配向」や「膜厚の自己制限成長」を紹介し、ウエハースケールでの単結晶・単層化メカニズムを議論する。さらに、vdW系へのパラダイム変化を支える各種原子層評価技術（in-plane XRD、4D-STEM、LEED等）の重要性にも言及する。長年III-V族半導体の成膜に関わった視点から、vdW系成膜のユニークさや可能性を考察する。