講演情報
[11p-B32-4]単層MoS2の自己整合・自己制限型ファンデルワールスエピタキシー
〇佐久間 芳樹1 (1.NIMS)
キーワード：
MoS2、ファンデルワールスエピタキシー、MOCVD
本講演ではc面サファイア上MoS2のvdWエピタキシーにおける「自発的面内配向」や「膜厚の自己制限成長」を紹介し、ウエハースケールでの単結晶・単層化メカニズムを議論する。さらに、vdW系へのパラダイム変化を支える各種原子層評価技術（in-plane XRD、4D-STEM、LEED等）の重要性にも言及する。長年III-V族半導体の成膜に関わった視点から、vdW系成膜のユニークさや可能性を考察する。