Presentation Information
[11p-N102-6]Effects of LED Stacking on the Active Region and Device Characteristics of Monolithically Stacked GaInN LEDs
〇Keisuke Takeya1, Shimbo Itsuki2, Koko Fukushima1, Kazuya Takagi1, Takumi Tsukamoto1, Ren Takahashi1, Yoshinobu Suehiro1, Atsushi A. Yamaguchi2, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ., 2.Kanazawa Inst. Tech.)
Keywords:
Micro LEDs,GaInN,Stacked LEDs
トンネル接合を用いた積層型GaInN系LEDにおける光出力低下要因を検討した。単色青色LED、2色積層LED、3色積層LEDを比較した結果、40 A/cm²における光出力は最大70%低下し、微分抵抗は約500 Ω増加した。一方、キャリア寿命は約3 ns以内の変化に留まった。これらの結果から、光出力低下には内部量子効率の低下ではなく、電流注入やキャリア輸送などのデバイス動作特性が大きく寄与している可能性が示唆された。