[8a-A13-1~13] 6.3 Oxide electronics

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[8a-A13-4] Unraveling Defects Governing Carrier Generation Mechanism in TiO₂

〇Tomohito Sudare¹, Hidenobu Murata², Koji Michishio³, Reiichi Ueda¹, Yumie Miura¹, Ryo Nakayama¹, Ritsuki Takesako¹, Yoshinobu Nakamura¹, Kazunori Nishio¹, Ryota Shimizu⁴, Naoomi Yamada⁵, Taro Hitosugi¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.JFCC, 3.AIST, 4.IMS, 5.Chubu Univ.)

Keywords:

Oxide semiconductors,Defect,Thin Films

格子欠陥は酸化物の電子物性を決定する重要な自由度であるが、その多くは孤立した点欠陥として理解されてきた。本研究では、NbドープアナターゼTiO₂(TNO)の金属伝導状態を対象に、陽電子消滅寿命測定、偏光依存X線吸収微細構造およびスペクトルシミュレーションを用いた欠陥解析を行った。その結果、Ti空孔と酸素空孔からなる複合欠陥が酸素導入に伴う欠陥再配置を抑制し、金属状態を安定化することを見出した。複合欠陥のダイナミクスがキャリア密度を支配する新たな欠陥制御機構を提案する。