講演情報
[8a-A13-4]酸化チタンのキャリア発現機構を支配する格子欠陥の解明
〇簾 智仁1、村田 秀信2、満汐 孝治3、上田 礼一1、三浦 弓恵1、中山 亮1、竹迫 律貴1、中村 吉伸1、西尾 和記1、清水 亮太4、山田 直臣5、一杉 太郎1 (1.東大、2.JFCC、3.産総研、4.分子研、5.中部大)
キーワード：
酸化物半導体、欠陥、薄膜
格子欠陥は酸化物の電子物性を決定する重要な自由度であるが、その多くは孤立した点欠陥として理解されてきた。本研究では、NbドープアナターゼTiO2(TNO)の金属伝導状態を対象に、陽電子消滅寿命測定、偏光依存X線吸収微細構造およびスペクトルシミュレーションを用いた欠陥解析を行った。その結果、Ti空孔と酸素空孔からなる複合欠陥が酸素導入に伴う欠陥再配置を抑制し、金属状態を安定化することを見出した。複合欠陥のダイナミクスがキャリア密度を支配する新たな欠陥制御機構を提案する。