[8a-A13-1~13] 6.3 Oxide electronics

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-A13-7] Hydrogenation of LaAlO₃ Single Crystals and Induced Electrical Conductivity

〇(M1)Shin Toyooka¹, Hikaru Okuma¹, Takahiro Ozawa², Katuyuki Hukutani², Yoshinobu Nakamura¹, Kazunori Ueno¹ (1.Univ. Tokyo, 2.Univ. Tokyo)

Keywords:

wide gap semiconductor,hydrogenation,plasma

導電化が困難とされてきたワイドギャップ絶縁体LaAlO₃単結晶に対し、水素プラズマ処理による水素導入を試みた。NRA測定により表面約30 nmの領域に単位格子当たり最大0.8原子相当の水素侵入を確認した。さらに、処理直後にはシート抵抗約100 kΩ/sqの導電性を示したが、大気中では抵抗が増加し再び絶縁化した。これらの結果をもとに，水素がLAOの導電性発現に果たす役割について議論する。