講演情報
[8a-A13-7]LaAlO3単結晶基板の水素化と導電性
〇(M1)豊岡 晋1、大熊 光1、小澤 孝拓2、福谷 克之2、中村 吉伸1、上野 和紀1 (1.東大総文、2.東大生研)
キーワード：
ワイドギャップ、水素化、プラズマ
導電化が困難とされてきたワイドギャップ絶縁体LaAlO₃単結晶に対し、水素プラズマ処理による水素導入を試みた。NRA測定により表面約30 nmの領域に単位格子当たり最大0.8原子相当の水素侵入を確認した。さらに、処理直後にはシート抵抗約100 kΩ/sqの導電性を示したが、大気中では抵抗が増加し再び絶縁化した。これらの結果をもとに，水素がLAOの導電性発現に果たす役割について議論する。