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[8a-A13-8]Effect of Substrate Temperature during Sputtering Deposition Process
on Crystallinity of P-type SnOx

〇Tomoki Otani1, Yuta Ito1,2, Haruki Asanuma1, Takuto Watanabe1, Naomi Sawamoto1,3, Atsushi Ogura1,3 (1.School of Sci and Technol., Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.MREL)

Keywords:

p-type SnO

p型SnOは上層トランジスタ用チャネル材料として期待されており、その電気特性を左右する結晶性の評価が重要である。本研究ではホール効果測定とラマン分光測定を用い、スパッタリング法で作製したSnOx薄膜を評価し、成膜時基板温度がアニール後の結晶性及び電気特性へ与える影響を調査した。結果、スパッタリング法における基板温度はアニール後のSnOx薄膜の結晶性及びp型導電性に影響を与える可能性を明らかにした。