講演情報
[8a-A13-8]スパッタリング成膜時の基板温度がp型SnOxの結晶性に与える影響
〇大谷 知輝1、伊藤 佑太1,2、浅沼 治樹1、渡辺 拓音1、澤本 直美1,3、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.明大MREL)
キーワード：
p型SnO
p型SnOは上層トランジスタ用チャネル材料として期待されており、その電気特性を左右する結晶性の評価が重要である。本研究ではホール効果測定とラマン分光測定を用い、スパッタリング法で作製したSnOx薄膜を評価し、成膜時基板温度がアニール後の結晶性及び電気特性へ与える影響を調査した。結果、スパッタリング法における基板温度はアニール後のSnOx薄膜の結晶性及びp型導電性に影響を与える可能性を明らかにした。