[8a-B11-1~13] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

12:00 PM - 12:15 PM JST(3:00 AM - 3:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-B11-12] Quantification of reactive sites on hexagonal boron nitride treated by plasma in solution

〇Kenichi Inoue^1,2,3, Naoto Takagi², Tsuyohito Ito², Yoshiki Shimizu³, Yukiya Hakuta³, Kohzo Ito², Kenji Ishikawa¹, Masaru Hori¹, Kazuo Terashima^2,3 (1.Nagoya Univ., 2.The Univ. of Tokyo, 3.AIST)

Keywords:

Plasma-surface modification,Hexagonal boron nitride,Electron spin resonance

本研究は複合材料開発で効果的な六方晶窒化ホウ素の液中プラズマ表面改質について、その官能基修飾サイトの定量に取り組んだ。特に比表面積の大きい粒子ではダングリングボンドが未反応のまま残存することを見出し、修飾反応に関わる反応サイトの表面密度の定量に成功した。これらの結果はダングリングボンド形成を通じた修飾過程を直接的に示し、処理後の酸化促進等によって表面改質効果をより増強できる可能性を示している。