Presentation Information
[8a-PA2-17]Effect of Annealing on TlBr Crystals Grown under Different Bromine Partial Pressures
〇Wataru Sato1, Yuki Hasegawa1, Yifan Li1, Yasumoto Tanaka1, Shiro Sakuragi2, Kazuyasu Tokiwa1 (1.Tokyo Univ. Sci., 2.Union Materials Inc.)
Keywords:
radiation,semiconductor,thallium bromide
TlBrは室温動作可能な放射線検出器材料として期待されているが、検出器特性は結晶欠陥や界面状態の影響を受ける。本研究では、臭素分圧の異なる条件で育成したTlBr結晶に対してアニール処理を行い、放射線応答への影響を評価した。その結果、臭素分圧の低い試料では200℃付近で最大パルス高さが向上し、高臭素分圧試料では変化が小さいことが分かった。臭素分圧に依存した欠陥状態や界面状態がアニール効果に関与している可能性について議論する。