[8a-PB2-1~32] 12.3 Functional Materials and Novel Devices

[8a-PB2-20] Evaluation of growth conditions of Hf_xZr_1-xO₂ thin films using atomic layer deposition for application to ferroelectric-gate organic transistors

〇Taichi Tamura^1,2, Haruka Sekiguchi^1,2, Takashi Onaya¹, Toshihide Nabatame¹, Yutaka Noguchi², Ryoma Hayakawa¹, Yutaka Wakayama¹ (1.NIMS, 2.Meiji Univ.)

Keywords:

Ferroelectric HfxZr1-xO2 thin films,Organic nonvolatile memory,Atomic layer deposition

本研究では、極薄膜で優れた強誘電性を示すHf_xZr_1-xO₂（HZO）薄膜を有機トランジスタのゲート絶縁膜に用いた有機不揮発メモリの開発を目的としている。本講演では、その第一段階として原子層堆積法によるTiN電極上でのHZO薄膜の成膜条件を検討した。その結果、300℃の低温で直方晶（強誘電相）の形成を確認した。また500℃での高速熱処理により、明瞭な強誘電性に起因するヒステリシスループを観測した。