講演情報
[8a-PB2-20]強誘電体ゲート有機トランジスタへの応用に向けた原子層堆積法によるHfxZr1-xO2薄膜の成長条件の検討
〇田村 太一1,2、関口 遥花1,2、女屋 崇1、生田目 俊秀1、野口 裕2、早川 竜馬1、若山 裕1 (1.物材機構、2.明治大)
キーワード：
強誘電体HfxZr1-xO2薄膜、有機不揮発性メモリ、原子層堆積法
本研究では、極薄膜で優れた強誘電性を示すHfxZr1-xO2（HZO）薄膜を有機トランジスタのゲート絶縁膜に用いた有機不揮発メモリの開発を目的としている。本講演では、その第一段階として原子層堆積法によるTiN電極上でのHZO薄膜の成膜条件を検討した。その結果、300℃の低温で直方晶（強誘電相）の形成を確認した。また500℃での高速熱処理により、明瞭な強誘電性に起因するヒステリシスループを観測した。