[8a-PB2-1~32] 12.3 Functional Materials and Novel Devices

[8a-PB2-21] Effect of g-C₃N₄ film thinning in g-C₃N₄/P3HT thin film heterojunction photodiode

〇(M2)Hiroki Yanagisawa¹, Taiki Ito¹, Kei Noda¹ (1.Keio Univ.)

Keywords:

Photodiode,g-C3N4,Organic semiconductor

高分子状窒化炭素g-C₃N₄は、可視光応答性と大気・熱安定性を有するn型有機半導体である。本発表では、g-C₃N₄/P3HT薄膜ヘテロ接合フォトダイオードのキャリア収集効率向上を目的とし、g-C₃N₄層の薄膜化とO₂ドライエッチングによるコンタクト改善を行った。その結果、従来の素子と比較して短絡電流が大幅に増加し、波長395nmにおける外部量子効率も2倍に向上した。