講演情報
[8a-PB2-21]g-C3N4/P3HT 薄膜ヘテロ接合フォトダイオードにおけるg-C3N4薄膜化の効果
〇(M2)柳澤 宙輝1、伊藤 大記1、野田 啓1 (1.慶應大理)
キーワード：
フォトダイオード、g-C3N4、有機半導体
高分子状窒化炭素g-C3N4は、可視光応答性と大気・熱安定性を有するn型有機半導体である。本発表では、g-C3N4/P3HT薄膜ヘテロ接合フォトダイオードのキャリア収集効率向上を目的とし、g-C3N4層の薄膜化とO2ドライエッチングによるコンタクト改善を行った。その結果、従来の素子と比較して短絡電流が大幅に増加し、波長395nmにおける外部量子効率も2倍に向上した。