[8a-S5-1~11] 3.6 Laser processing

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-S5-10] Formation of Ohmic Contacts via Laser-Induced Oxide Removal

〇Kei Takahashi^1,2, Kota Sugaya^1,2, Yuya Konemura^1,2, Shinnosuke Yano^1,2, Takanori Kitsunai^1,2, Seiya Shimazaki^1,2, Yasushi Fujimoto¹, Isao Ito², Yohei Kobayashi² (1.Chiba Inst. Tech., 2.ISSP, Univ. Tokyo)

Keywords:

Laser processing,semiconductor,Ohmic Contact

マスクレスかつ完全ドライプロセスによる半導体デバイス作製を目指し，レーザーを用いたオーミック接合形成を研究している。Si表面の自然酸化膜は接触抵抗増加の要因となるため，N₂雰囲気下でレーザー照射後にAl電極を成膜した。酸化膜除去試料では0 V付近の抵抗値が未加工試料の約1/23に低下し，I–V特性の直線性が向上した。講演では，さらなる接触抵抗の低減に向けたプロセス最適化について報告する。