講演情報
[8a-S5-10]レーザー酸化膜除去によるオーミック接合形成の研究
〇高橋 敬1,2、菅谷 幸太1,2、古根村 友哉1,2、矢野 慎之助1,2、橘内 孝宜1,2、島崎 聖哉1,2、藤本 靖1、伊藤 功2、小林 洋平2 (1.千葉工大、2.東大物性研)
キーワード：
レーザー加工、半導体、オーミック接合
マスクレスかつ完全ドライプロセスによる半導体デバイス作製を目指し，レーザーを用いたオーミック接合形成を研究している。Si表面の自然酸化膜は接触抵抗増加の要因となるため，N₂雰囲気下でレーザー照射後にAl電極を成膜した。酸化膜除去試料では0 V付近の抵抗値が未加工試料の約1/23に低下し，I–V特性の直線性が向上した。講演では，さらなる接触抵抗の低減に向けたプロセス最適化について報告する。