[8a-S5-1~11] 3.6 Laser processing

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-S5-11] Study on Laser-Induced Impurity Doping in Semiconductors

〇Kota Sugaya^1,2, Kei Takahashi^1,2, Yuya Konemura^1,2, Shinnosuke Yano^1,2, Takanori Kitsunai^1,2, Seiya Shimazaki^1,2, Yasushi Fujimoto¹, Isao Ito², Yohei Kobayashi² (1.Chiba Inst. Tech., 2.ISSP, Univ. Tokyo.)

Keywords:

semiconductor,Laser processing,Doping

マスクレスかつ完全ドライプロセスによる半導体デバイス作製を目指し，レーザードーピングの研究をしている。微細加工精度や量産性では従来プロセスに及ばないものの，少量試作での低コスト化などが期待される。本研究では，Siのp型化を目的に，3価のAl薄膜を成膜したn型Siにレーザー照射し，作製した試料をダイオードとして評価した。講演では，レーザードーピング条件がデバイス特性に及ぼす影響について議論する。