[8a-S5-1~11] 3.6 レーザープロセシング

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[8a-S5-11] レーザー照射による半導体への不純物ドーピングの研究

〇菅谷 幸太^1,2、高橋 敬^1,2、古根村 友哉^1,2、矢野 慎之助^1,2、橘内 孝宜^1,2、島崎 聖哉^1,2、藤本 靖¹、伊藤 功²、小林 洋平² (1.千葉工大、2.東大物性研)

キーワード：

半導体、レーザー加工、ドーピング

マスクレスかつ完全ドライプロセスによる半導体デバイス作製を目指し，レーザードーピングの研究をしている。微細加工精度や量産性では従来プロセスに及ばないものの，少量試作での低コスト化などが期待される。本研究では，Siのp型化を目的に，3価のAl薄膜を成膜したn型Siにレーザー照射し，作製した試料をダイオードとして評価した。講演では，レーザードーピング条件がデバイス特性に及ぼす影響について議論する。