[8p-B11-1~16] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[8p-B11-1] Plasma atomic layer oxidation of silicon ~Oxidation temperature and self-limitation~

〇Shota Nunomura¹, Kunihiro Kamataki², Masaharu Shiratani² (1.AIST, 2.Kyushu Univ.)

Keywords:

plasma oxidation,atomic layer process,silicon

シリコンの原子層酸化は、先端半導体や太陽電池の表面パッシベーションに必須の技術である。シリコン（Si）の表面をシリコン酸化膜（SiO₂）で覆い、表面欠陥を低減しキャリア輸送を促進すると共に再結合を抑制することで、デバイス特性と信頼性を向上させる。一般に、この表面パッシベーションに用いる原子層酸化の手法として、ウエットケミカルと熱酸化が広く用いられるが、極薄膜（<2nm）の高品質な酸化膜並びにSiO₂/Si界面を低温（<450℃）で形成する技術は十分に確立されていない。一方、プラズマ酸化は、酸素ラジカル主体の酸化が可能であり、低温で高品質な極薄酸化及び界面の形成が可能である。前回、原子層酸化の初期過程（急速成長、飽和、線形成長）及びパッシベーション性能について報告した。今回は、酸化温度と自己停止（飽和膜厚）について調査したので報告する。