[8p-E203-1~15] 9.4 Thermoelectric conversion

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8p-E203-11] Composition dependence of electrical transport characteristics in In–Sn–Te thin films

〇(M1C)Yuki Kuramochi¹, Takaaki Hasumi¹, Takuji Kobayashi¹, Masaya Ito¹, Masaomi Mizuno¹, Ryo Ando², Ryota Uesugi¹, Takashi Komine¹ (1.Ibaraki Univ., 2.Ibaraki College)

Keywords:

Topological crystalline insulator,carrier density control,RF Magnetron Sputtering

SnTeはトポロジカル結晶絶縁体であるが、Sn空孔に起因する高い正孔密度により表面状態の輸送特性評価が困難である。本研究ではRFコマグネトロンスパッタによりInドープSnTe薄膜を作製し、電気輸送特性を評価した。キャリア密度はIn量11 at.%付近で大きく低下し、In量増加に伴い移動度が低下する傾向がみられ、析出物による散乱の影響が示唆された。講演では、In–Sn–Te薄膜における熱処理条件の評価をXPSにより評価し、その詳細を報告する。