[8p-E203-1~15] 9.4 熱電変換

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[8p-E203-11] In–Sn–Te薄膜における輸送特性の組成依存性

〇(M1C)倉持 祐希¹、蓮見 剛昭¹、小林 拓慈¹、伊藤 雅也¹、水野 将臣¹、安藤 亮²、上杉 良太¹、小峰 啓史¹ (1.茨城大学、2.茨城高専)

キーワード：

トポロジカル結晶絶縁体、キャリア密度、RFマグネトロンスパッタ

SnTeはトポロジカル結晶絶縁体であるが、Sn空孔に起因する高い正孔密度により表面状態の輸送特性評価が困難である。本研究ではRFコマグネトロンスパッタによりInドープSnTe薄膜を作製し、電気輸送特性を評価した。キャリア密度はIn量11 at.%付近で大きく低下し、In量増加に伴い移動度が低下する傾向がみられ、析出物による散乱の影響が示唆された。講演では、In–Sn–Te薄膜における熱処理条件の評価をXPSにより評価し、その詳細を報告する。