[8p-E218-1~12] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[8p-E218-7] Miniaturization of InAs nanowires by thermal annealing

〇Doma Hachimiya^1,2, Yuki Azuma^1,2, Keita Taniyama^1,2, Junichi Motohisa^1,2, Katsuhiro Tomioka^1,2 (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE)

Keywords:

MOVPE,Thermal etching,nanowire

選択成長法は、リソグラフィの最小分解能とエッチング工程で、NW径が決定されるため、原子層スケールの径を有したNWチャネル成長が困難である。そこで選択成長法に熱処理エッチング工程を導入することで、極微細III-V NWチャネルを形成できると着想した。講演では、MOVPE選択成長法によるInAs NW成長工程において、熱処理エッチングによるNW直径の微細化について検討したので報告する。