[8p-E219-1~13] 9.3 Nanoelectronics

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[8p-E219-3] First-principles study of dielectric function of stressed silicon thin films

〇Toshiaki Hayashi¹, Yasushi Shinohara¹, Hiroyuki Kageshima², Jinichiro Noborisaka¹, Gento Yamahata¹ (1.NTT BRL, 2.Shimane Univ.)

Keywords:

stressed silicon thin films,dielectric function,first-principles calculation

我々のグループはSi/埋め込み酸化膜界面において非常に大きな谷分離を発見した。巨大谷分離が発現する理由として界面における残留歪を提唱してきた。本発表の目的は、第一原理計算を用いて界面における残留歪が光学応答に与える影響を調べることにある。過去に実施した電界発光の結果と比べることによって、巨大谷分離と残留歪の関係性について検討する。