講演情報
[8p-E219-3]第一原理計算を用いた歪シリコン薄膜の誘電関数の研究
〇林 稔晶1、篠原 康1、影島 博之2、登坂 仁一郎1、山端 元音1 (1.NTT物性研、2.島根大学)
キーワード：
歪シリコン薄膜、誘電関数、第一原理計算
我々のグループはSi/埋め込み酸化膜界面において非常に大きな谷分離を発見した。巨大谷分離が発現する理由として界面における残留歪を提唱してきた。本発表の目的は、第一原理計算を用いて界面における残留歪が光学応答に与える影響を調べることにある。過去に実施した電界発光の結果と比べることによって、巨大谷分離と残留歪の関係性について検討する。