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[8p-E301-7]Growth of α-(Al,Ga)2O3 thin films on α-Cr2O3 templates by mist-CVD
〇Riena Jinno1, Xiao Shiyu2, Takayoshi Oshima3, Satoshi Iwamoto1, Kazuto Murakami2, Katsuhiro Imai2, Takahiro Tomita2 (1.The University of Tokyo, 2.NGK Corporation, 3.NIMS)
Keywords:
gallium oxide,mist-CVD,ultra-wide bangap semiconductor
α-(Al,Ga)2O3は、5.4–8.8 eVの範囲でバンドギャップ制御可能な超ワイドバンドギャップ半導体であり、同じコランダム構造の基板上でエピタキシャル安定化できるが、広く用いられるサファイア基板上では電気伝導が期待される低Al組成領域では、格子不整合度が大きく転位導入により導電性が著しく低下する。一方、α-Cr2O3基板という選択肢もあり、α-(Al0.1Ga0.9)2O3と格子整合することから、低Al組成領域における転位密度低減に有効と考えられる。本研究では、NGKが開発した高品質α-Cr2O3テンプレート上にα-(Al,Ga)2O3膜を成長し、結晶性について詳細に解析したので報告する。