Presentation Information
[8p-PB2-6]Structure and Stoichiometric Analysis of SiC Grown on Si(001)
〇Kentaro Kudo1, Ayako Ishihara1, Tomoko Ohno1, Noritaka Koike1, Sakura Takeda1 (1.Naist)
Keywords:
3C-SiC,Si(001),Growth mode
Si表面は高温真空アニール中に残留炭素汚染を炭素源として容易にSiC化することが知られている[1]。SiC成長を制御できれば様々な応用への展開が期待できる。そこで本研究では、Si(001)表面上に形成されるSiCについて、その結晶構造および成長機構の解明を目的とする研究を行った。