講演情報
[8p-PB2-6]Si(001)上に成長したSiCの構造と組成解析
〇宮東 賢太郎1、石原 綾子1、大野 智子1、小池 徳貴1、武田 さくら1 (1.奈良先端)
キーワード：
3C-SiC、Si(001)、成長様式
Si表面は高温真空アニール中に残留炭素汚染を炭素源として容易にSiC化することが知られている[1]。SiC成長を制御できれば様々な応用への展開が期待できる。そこで本研究では、Si(001)表面上に形成されるSiCについて、その結晶構造および成長機構の解明を目的とする研究を行った。