Presentation Information
[9a-B11-10]Observation of dislocations in (011)-oriented vertical Bridgman β-Ga2O3 substrates
〇Yongzhao Yao1,2, Daiki Katsube2, Hirotaka Yamaguchi2, Yukari Ishikawa2 (1.Mie Univ., 2.JFCC)
Keywords:
Ga2O3,X-ray topography,dislocation
高性能・高信頼性β-Ga2O3パワーデバイスの実現には、高品質なエピタキシャル層が必要である。エピ成長においては基板面方位が重要なパラメータであり、ライン状ピット欠陥のない平坦表面形成や低不純物化が可能な(011)面エピ成長が注目されている。一方で、(011)面基板中の転位構造やドメイン境界との関係については十分に理解されていない。特に、(001)面エピで問題となるライン状ピットと転位との関係や、VB法特有の転位形成挙動については未解明である。本研究では，垂直ブリッジマン（VB）法により成長した(011)面β-Ga2O3基板について，放射光XRTおよびX線レチクログラフィーを用いて転位構造を観察した。さらに，転位配列とドメイン境界との関係について検討した。