[9a-C214-1~11] 12.4 Organic light-emitting devices, organic transistors, and flexible devices

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-C214-11] Study on Triangular Voltage Conditions for the Formation of InP-Based Quantum Dot Films via Electrophoresis and Device Structure of Quantum Dot Light-Emitting Diodes

〇(M2)Yuki Nagase¹, Maowei Huang¹, Hirotake Kajii¹, Natsumi Satoh¹, Shintaro Toda², Masahiko Kondow¹ (1.The Univ of Osaka, 2.ULVAC-UOsaka Joint Research Lab. for Future Tech)

Keywords:

quantum dot,light-emitting devices

コロイド状量子ドット（QD）のシェルの外側は絶縁性の配位子で覆われているため、デバイス作製の際QD膜は極薄膜に制御することが求められる。電気泳動堆積法 (EPD)は、貧溶媒に分散した帯電QD粒子が外部電場下で電極表面に泳動・堆積し、直接薄膜を形成する手法であり、電気泳動で作製するQD薄膜は、印加電圧や溶液濃度などの複数の要因に影響を受ける。本研究では、緑色発光InP系QDを用いて、三角波電圧印加電気泳動堆積法(Tw-EPD)によるQD薄膜形成を検討し、Tw-EPDによる量子ドット発光素子のデバイス作製技術を検討した。