講演情報
[9a-C214-11]電気泳動法によるInP系量子ドット膜形成に向けた三角波電圧印加条件と順構造量子ドット発光素子構造の検討
〇(M2)長瀬 由季1、黄 毛蔚1、梶井 博武1、佐藤 なつみ1、戸田 晋太郎2、近藤 正彦1 (1.阪大院工、2.アルバック協働研)
キーワード：
量子ドット、発光ダイオード
コロイド状量子ドット（QD）のシェルの外側は絶縁性の配位子で覆われているため、デバイス作製の際QD膜は極薄膜に制御することが求められる。電気泳動堆積法 (EPD)は、貧溶媒に分散した帯電QD粒子が外部電場下で電極表面に泳動・堆積し、直接薄膜を形成する手法であり、電気泳動で作製するQD薄膜は、印加電圧や溶液濃度などの複数の要因に影響を受ける。本研究では、緑色発光InP系QDを用いて、三角波電圧印加電気泳動堆積法(Tw-EPD)によるQD薄膜形成を検討し、Tw-EPDによる量子ドット発光素子のデバイス作製技術を検討した。