[9a-C310-1~13] 6.4 Thin films and New materials

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[9a-C310-1] Characterization of properties of aluminum nitride including platinum catalyst as passivation films for semiconducting Yttrium trihydride

〇Takahiro Kayano¹, Osamu Nakamura³, Tatsuro Hanajiri^1,2 (1.Toyo Univ., 2.Bio-nano Centre, 3.Kyushu Univ.)

Keywords:

Yttrium trihydride,Phase transition

イットリウム水素化物(YH_x)は圧力印加や水素組成比に応じて、金属半導体相転移が生じるが、半導体的YH₃の電気的特性はほとんど解明されていない。一方、相転移に対して水素触媒膜のPdやPtが効果的であることが知られているが、金属膜ではリークパスにより電気的特性の評価が困難である。本研究グループは白金触媒内包の絶縁パッシベーション膜AlN-Ptを提案しているが、本研究では相転移の制御と絶縁性の観点から、AlN-Pt膜の有用性を示す。