講演情報
[9a-C310-1]半導体的YH3のためのAlN-Ptパッシベーション膜としての特性評価
〇萱野 貴大1、中村 修3、花尻 達郎1,2 (1.東洋大院理工、2.バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター、3.九大シス情)
キーワード：
イットリウム三水素化物、相転移
イットリウム水素化物(YHx)は圧力印加や水素組成比に応じて、金属半導体相転移が生じるが、半導体的YH3の電気的特性はほとんど解明されていない。一方、相転移に対して水素触媒膜のPdやPtが効果的であることが知られているが、金属膜ではリークパスにより電気的特性の評価が困難である。本研究グループは白金触媒内包の絶縁パッシベーション膜AlN-Ptを提案しているが、本研究では相転移の制御と絶縁性の観点から、AlN-Pt膜の有用性を示す。