[9a-C310-1~13] 6.4 Thin films and New materials

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[9a-C310-2] Strain Introduction into LiH Epitaxial Thin Films

〇Kenta Saito¹, Erika Fukushi¹, Kosei Onishi¹, Takuya Majima², Takayuki Harada³, Hiroyuki Oguchi¹ (1.Shibaura Univ., 2.Kyouto Univ., 3.NIMS)

Keywords:

matal hydride,thin film

本研究では、LiHエピタキシャル薄膜における結晶歪み制御を目的とし、膜厚制御を通じて基板由来のエピタキシャル拘束効果を評価した。MgO(100)基板上に25–100 nmのLiH薄膜を合成し、XRD解析を行った結果、膜厚減少に伴い回折ピークが高角側へシフトし、面直方向格子定数の減少が確認された。逆格子マッピングから、薄膜化により基板拘束が強まり歪みが導入されることが示された。