講演情報
[9a-C310-2]LiHエピタキシャル薄膜への歪導入
〇齋藤 謙太1、福士 英里香1、大西 康生1、間嶋 拓也2、原田 尚之3、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工、2.京大院工、3.NIMS)
キーワード：
金属水素化物、薄膜
本研究では、LiHエピタキシャル薄膜における結晶歪み制御を目的とし、膜厚制御を通じて基板由来のエピタキシャル拘束効果を評価した。MgO(100)基板上に25–100 nmのLiH薄膜を合成し、XRD解析を行った結果、膜厚減少に伴い回折ピークが高角側へシフトし、面直方向格子定数の減少が確認された。逆格子マッピングから、薄膜化により基板拘束が強まり歪みが導入されることが示された。