[9a-N102-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N102-6] Epitaxial KNN free standing resonator using MgO sacrificial substrate

〇Nanami Suzuki^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN)

Keywords:

KNN,BAW,FBAR

KNNは高い圧電定数を持つことが知られている。昨年、KNNが高いk値とともに比較的高いQ_m値を持つことがわかった。KNNは660と比較的高い値を両立している。本研究では、BAWフィルタのうち、MgO基板を用いることでエピタキシャルKNNを圧電層に持つ自立薄膜共振子の作製を試みた。また、その圧電特性やDCバイアスに対する振る舞いを評価した。KNNの良好な圧電性を得ることができ、抗電界も確認できた。