講演情報
[9a-N102-6]MgO犠牲基板を用いたエピタキシャルK0.35N0.65N自立薄膜共振子
〇鈴木 菜々海1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大、2.材研)
キーワード：
KNN、BAW、FBAR
KNNは高い圧電定数を持つことが知られている。昨年、KNNが高いk値とともに比較的高いQm値を持つことがわかった。KNNは660と比較的高い値を両立している。本研究では、BAWフィルタのうち、MgO基板を用いることでエピタキシャルKNNを圧電層に持つ自立薄膜共振子の作製を試みた。また、その圧電特性やDCバイアスに対する振る舞いを評価した。KNNの良好な圧電性を得ることができ、抗電界も確認できた。