[9a-N102-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[9a-N102-9] Investigation of Q_m-TCV correlation in sputter-deposited SiO₂ films via structural analysis

〇(M2)Nana Shimazaki^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN)

Keywords:

SiO2,Q factor,temperature coefficient

SiO2薄膜のQmとTCVの相関を調査した。GHzパルスエコー法を用いてこれらの特性を同時・同一位置で測定し、QmとTCVに強い正の相関（相関係数0.77）を確認した。また、XRDおよびFT-IRによる構造解析の結果、これらの音響特性の向上は、SiO2ネットワークの中距離秩序の拡大およびSi-O-Si結合角の増大と強く関連することが明らかになった。