講演情報
[9a-N102-9]構造解析に基づくスパッタSiO2薄膜のQm値およびTCVの相関の調査
〇(M2)島崎 奈々1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早稲田大、2.材研)
キーワード：
SiO2、Q値、温度係数
SiO2薄膜のQmとTCVの相関を調査した。GHzパルスエコー法を用いてこれらの特性を同時・同一位置で測定し、QmとTCVに強い正の相関（相関係数0.77）を確認した。また、XRDおよびFT-IRによる構造解析の結果、これらの音響特性の向上は、SiO2ネットワークの中距離秩序の拡大およびSi-O-Si結合角の増大と強く関連することが明らかになった。