Presentation Information
[9a-PA1-30]Improvement of Room-Temperature Thermoelectric Performance in Ba2AgSi3 Thin Films by Controlling Growth Conditions
〇Kimimaru Kajihara1, Taiga Shinohara1, Hikaru Takeshima2, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Tosoh Corporation)
Keywords:
thermoelectric material,thin-film semiconductor,environmentally friendly material
Ba2AgSi3は組成比に応じた伝導型変調が報告されており、50 ℃においてp型伝導を示したバルク試料では高いZTが報告されている。我々はこれまでに、MBE法によるBa2AgSi3薄膜の成長に成功するとともに、Ba/Ag比を約2.0に制御することで良好な結晶性および熱電特性が得られることを明らかにしてきた。本研究では、これらの知見を踏まえ、成長条件のさらなる最適化を目的として、Ba/Ag比を約2.0に保った条件下でSi供給量を制御し、Ba2AgSi3薄膜の結晶性および室温付近における熱電特性に及ぼす影響を評価した。その結果、Si供給量の制御によって結晶性および熱電特性が改善し、室温において推定ZT = 0.51を達成した。